Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-3PNIS N-Kanal
Marke: Toshiba
Hersteller Artikel-Nr.: GT30J322(Q)
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 601-2807
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041944939
Technische Daten
- Abmessungen
- 15.8 x 5 x 21mm
- Betriebstemperatur max.
- +150 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 30 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-3PNIS
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 600 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = TO-3PNIS
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5 x 21mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
IGBTs, diskret, Toshiba