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Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-3PNIS N-Kanal

von Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: GT30J322(Q)

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Produktdetails

Artikeltyp
IGBT
Lieferanten Artikel-Nr.
601-2807
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Abmessungen
15.8 x 5 x 21mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
30 A
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
TO-3PNIS
Kollektor-Emitter-Spannung
600 V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Transistor-Konfiguration
Einfach

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = TO-3PNIS
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5 x 21mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C

IGBTs, diskret, Toshiba