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Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: GT40QR21,F(O

Toshiba Logo

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Produktdetails

Artikeltyp
IGBT
Lieferanten Artikel-Nr.
891-2743
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041634779

Technische Daten

Abmessungen
15.5 x 4.5 x 20mm
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
40 A
Gate-Source Spannung max.
±25V
Gehäusegröße
TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Montage-Typ
THT
Nennleistung
0.29mJ
Pinanzahl
3
Schaltgeschwindigkeit
2.5MHz

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 230 W
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 2.5MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.5 x 4.5 x 20mm
Nennleistung = 0.29mJ

IGBTs, diskret, Toshiba