Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
von Toshiba
Hersteller Artikel-Nr.: GT50JR21
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 796-5061
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Abmessungen
- 15.5 x 4.5 x 20mm
- Betriebstemperatur max.
- +175 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 50 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±25V
- Gehäusegröße
- TO-3P
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 600 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Schaltgeschwindigkeit
- 1MHz
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 230 W
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.5 x 4.5 x 20mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
IGBTs, diskret, Toshiba