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Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: GT50JR22

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Produktdetails

Artikeltyp
IGBT
Lieferanten Artikel-Nr.
796-5064
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041140096

Technische Daten

Abmessungen
15.5 x 4.5 x 20mm
Betriebstemperatur max.
+175 °C
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
50 A
Gate-Source Spannung max.
±25V
Gehäusegröße
TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung
600 V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Schaltgeschwindigkeit
1MHz

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 230 W
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.5 x 4.5 x 20mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C

IGBTs, diskret, Toshiba