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Toshiba TK TK100E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 214 A 255 W, 3-Pin TO-220

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK100E08N1

Toshiba Logo

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
796-5077
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041142540

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
214 A
Drain-Source-Spannung max.
80 V
Drain-Source-Widerstand max.
3,2 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 214 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 255 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TK

MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba