Toshiba TK TK100E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 214 A 255 W, 3-Pin TO-220
Marke: Toshiba
Hersteller Artikel-Nr.: TK100E08N1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 796-5077P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041142557
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 214 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 80 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 3,2 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 214 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 255 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TK
MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba