Toshiba TK TK100E10N1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220
Marke: Toshiba
Hersteller Artikel-Nr.: TK100E10N1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 796-5070P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041667937
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 207 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 3,4 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 207 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 255 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TK
MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba