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Toshiba TK TK12J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK12J60W,S1VQ(O

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
891-2881
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041610162

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
11,5 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
300 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
3.7V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TK

MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba