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Toshiba TK TK16J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-3PN

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK16J60W,S1VQ(O

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
891-2917
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041634502

Technische Daten

Breite
4.5mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
15,8 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
190 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
3.7V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Höhe
20mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 15,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 130 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.5mm
Höhe = 20mm

MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba