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Toshiba TK TK39J60W5,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN

von Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK39J60W5,S1VQ(O

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
896-2363
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
39 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
74 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
3.7V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 39 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 74 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 270 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TK

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba