Toshiba TK TK39J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN

Name: Toshiba TK TK39J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN
Brand: Toshiba
SKU: 896-2369
Price: 6.15 EUR
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von Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK39J60W,S1VQ(O

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Produktdetails

Artikeltyp: MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.: 896-2369
Gewicht: 1 g
Zustand: Neu

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 39 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Gehäusegröße: TO-3PN
Höhe: 20mm
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 39 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 270 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 20mm

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba