Toshiba TK TK49N65W,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 49 A 400 W, 3-Pin TO-247
Marke: Toshiba
Hersteller Artikel-Nr.: TK49N65W,S1F(S
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 896-2397
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041586665
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 49 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 55 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Höhe
- 20.95mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 49 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 55 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Verlustleistung max. = 400 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 20.95mm
MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba