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Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK9J90E

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
796-5153
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041655804

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
9 A
Drain-Source-Spannung max.
900 V
Drain-Source-Widerstand max.
1,3 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TK

MOSFET-N-Kanal, TK8- und TK9-Serie, Toshiba