Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
von Toshiba
Hersteller Artikel-Nr.: TK9J90E
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 796-5153P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 9 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 900 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,3 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-3PN
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TK
MOSFET-N-Kanal, TK8- und TK9-Serie, Toshiba