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Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK090Z65Z,S1F(O

Toshiba Logo

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
206-9728
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
30 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,09 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gehäusegröße
TO-247-4
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
4

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,09 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TK090Z65Z

Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität. Er wird hauptsächlich in Schaltnetzteilen verwendet.Niedriger Durchlasswiderstand der Drain-Quelle 0,075? Lagertemperatur: -55 bis 150 °C.