Vishay E Series SIHB30N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
von Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: SIHB30N60E-GE3
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 768-9310
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 29 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 125 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
- Höhe
- 4.83mm
- Länge
- 10.67mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 10.67mm
Höhe = 4.83mm
N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor. Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS). Merkmale. Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Niedriger Widerstand (RDS(ein)) Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Schnelle Schaltgeschwindigkeit Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste