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Vishay E Series SiHG47N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 357 W, 3-Pin TO-247AC

von Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SiHG47N60E-GE3

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
768-9332
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+150 °C
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
47 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
64 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Höhe
20.7mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 47 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 64 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 357 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 20.7mm

N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor. Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS). Merkmale. Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Niedriger Widerstand (RDS(ein)) Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Schnelle Schaltgeschwindigkeit Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste