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Vishay IRF710PBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 2 A 36 W, 3-Pin TO-220AB

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRF710PBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
543-0074
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059040894891

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °C
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
2 A
Drain-Source-Spannung max.
400 V
Drain-Source-Widerstand max.
3,6Ω
Gate-Ladung typ. @ Vgs
17 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2 A
Drain-Source-Spannung max. = 400 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,6Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 36 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 17 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 300 V bis 400 V, Vishay Semiconductor