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Vishay IRF820APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 2,5 A 50 W, 3-Pin TO-220AB

von Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRF820APBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
542-9412
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
2,5 A
Drain-Source-Spannung max.
500 V
Drain-Source-Widerstand max.
3 Ω
Gate-Ladung typ. @ Vgs
17 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Höhe
9.01mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 50 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 17 nC @ 10 V
Höhe = 9.01mm

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor