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Vishay IRF9610PBF P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 1,8 A 2 W, 3-Pin TO-220AB

von Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRF9610PBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
542-9462
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
P
Dauer-Drainstrom max.
1,8 A
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Drain-Source-Widerstand max.
3 Ω
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Höhe
9.01mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 9.01mm

P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor