Vishay IRF9610PBF P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 1,8 A 2 W, 3-Pin TO-220AB
von Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRF9610PBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 542-9462
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- P
- Dauer-Drainstrom max.
- 1,8 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 3 Ω
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220AB
- Höhe
- 9.01mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 9.01mm
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor