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Vishay IRFB9N65APBF N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8,5 A 167 W, 3-Pin TO-220AB

von Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFB9N65APBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
541-1938
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °C
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
8,5 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
930 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
48 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 930 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 167 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 48 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor