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Vishay IRFBC40PBF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,2 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

von Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFBC40PBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
542-9513
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °C
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
6,2 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
1,2 Ω
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor