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Vishay IRFBG20PBF N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,4 A 54 W, 3-Pin TO-220AB

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFBG20PBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
542-9563
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059040937154

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °C
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
1,4 A
Drain-Source-Spannung max.
1000 V
Drain-Source-Widerstand max.
11 Ω
Gate-Ladung typ. @ Vgs
38 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 11 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 54 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 38 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor