Vishay IRFD024PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 2,5 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
von Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFD024PBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 541-0525
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °C
- Breite
- 6.29mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 2,5 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 60 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 100 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- HVMDIP
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.29mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor