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Vishay IRFD024PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 2,5 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

von Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFD024PBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
541-0525
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °C
Breite
6.29mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
2,5 A
Drain-Source-Spannung max.
60 V
Drain-Source-Widerstand max.
100 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
HVMDIP

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.29mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor