Vishay IRFD110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
von Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFD110PBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 541-1039
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °C
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 1 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 540 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- HVMDIP
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 540 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor