Zum Hauptinhalt springen

Vishay IRFD120PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1,3 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

von Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFD120PBF

Vishay Logo

1,34 €

1,59 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Maximal 5188 verfügbar
Lieferzeit ca. 1 Tage

Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
541-1691
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °C
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
1,3 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
270 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
16 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
HVMDIP

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 16 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor