Vishay IRFD9110PBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 700 mA 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
von Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFD9110PBF
1,52 €
1,81 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Maximal 41 verfügbar
Lieferzeit ca. 2 Tage
Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 541-0749
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °C
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- P
- Dauer-Drainstrom max.
- 700 mA
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,2 Ω
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 8,7 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- HVMDIP
Produktbeschreibung
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 700 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8,7 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor