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Vishay IRLD014PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 1,7 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRLD014PBF

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
543-0478
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059040890992

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
1,7 A
Drain-Source-Spannung max.
60 V
Drain-Source-Widerstand max.
200 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
1V
Gate-Source Spannung max.
-10 V, +10 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Höhe
3.37mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 3.37mm

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor