Vishay IRLD120PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1,3 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
von Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRLD120PBF
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 543-0484
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °C
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 1,3 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 270 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 12 nC bei 5 V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1V
- Gate-Source Spannung max.
- -10 V, +10 V
- Gehäusegröße
- HVMDIP
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 12 nC bei 5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor