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Vishay SIHK065N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 34 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

von Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIHK065N60E-T1-GE3

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
239-5379
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
34 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Gehäusegröße
PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
8

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 34 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1