Vishay SIHK065N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 34 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
von Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: SIHK065N60E-T1-GE3
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 239-5379P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 34 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Gehäusegröße
- PowerPAK 10 x 12
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 8
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 34 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1