Vishay SUP85N10-10-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 85 A 250000 mW, 3-Pin TO-220AB

Name: Vishay SUP85N10-10-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 85 A 250000 mW, 3-Pin TO-220AB
Brand: Vishay
SKU: 708-5178P
Price: 5.9 EUR
Availability: InStock

von Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SUP85N10-10-GE3

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Produktdetails

Artikeltyp: MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.: 708-5178P
Gewicht: 1 g
Zustand: Neu

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +175 °C
Betriebstemperatur min.: -55 °C
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 85 A
Drain-Source-Spannung max.: 100 V
Drain-Source-Widerstand max.: 10,5 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 1V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 85 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 250000 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor