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Infineon 1ED3491MX12M Gate-Ansteuerungsmodul MOSFET-Gate-Ansteuerung

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: EVAL1ED3491MX12MTOBO1

Technische Daten

Funktion für Stromüberwachungseinheiten
MOSFET-Gate-Ansteuerung
Kit-Klassifizierung
Evaluierungsplatine
Vorgestelltes Gerät
1ED3491MX12M
Zum Einsatz mit
Motoren

Produktbeschreibung

Funktion für Stromüberwachungseinheiten = MOSFET-Gate-Ansteuerung
Zum Einsatz mit = Motoren
Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine
Vorgestelltes Gerät = 1ED3491MX12M

Der Infineon EVAL-1ED3491MX12M ist in Halbbrückenkonfiguration mit zwei Gate-Treiber-ICs (1ED3491MU12M) zur Ansteuerung von Leistungsschaltern wie Si MOSFETs, IGBTs und SiC MOSFETs. Der Schaltertyp kann frei gewählt werden. Die Platine hat eine Größe von 85 x 55 x 15 mm ohne montierten Netzschalter. Trenchstop IGBT IKW40N120H3 oder CoolSiC MOSFET IMW120R030M1H wird empfohlen. Diese Platine eignet sich am besten für die Prüfung und Evaluierung von Doppelimpulsen. Die Niederspannungs-Versorgungsschnittstelle kann von einem Impulsgenerator, einem Mikrocontroller oder einem anderen geeigneten digitalen Schaltkreis gesteuert werden. Die Evaluierungsplatine verfügt über ein Netzteil für die Primär- und Sekundärseite.Übertemperaturabschaltung bei 160 °C (±10 °C) Enge Anpassung der IC-auf-IC-Laufzeit (max. 30 ns) Hohe Gleichtakt-Störfestigkeit CMTI >200 kV/μs Geeignet für den Betrieb bei hoher Umgebungstemperatur bis 125 °C. Ermöglicht schnelle Entwicklungszyklen aufgrund der geringen Anzahl externer Komponenten und bietet dennoch einen verstellbaren DESAT mit Soft-Off-Funktionalität984

76,26 €

90,75 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
Maximal 31 verfügbar

Kennzeichnungen

Artikeltyp
Leistung, Entwicklungstools Motor und Robotics
Lieferanten Artikel-Nr.
225-1576