Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 560 V / 32 A 284 W, 3-Pin TO-247
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: SPW32N50C3FKSA1
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 32 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 560 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 110 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 170 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.9V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.1V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 21.1mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 32 A
Drain-Source-Spannung max. = 560 V
Serie = CoolMOS™ C3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 284 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 170 nC @ 10 Vmm
Höhe = 21.1mm
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 753-3226