Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-220
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: SPP11N80C3XKSA1
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Breite
- 4.57mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 11 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 450 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.9V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.1V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = CoolMOS™ C3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 156 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.57mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 753-3190
- GTIN
- 5059043798004