Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-247
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: SPW11N80C3FKSA1
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 11 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 450 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.9V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.1V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-247
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 156 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 752-8505P
- GTIN
- 5059045867845