Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPA65R045C7XKSA1
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 18 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 45 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- CoolMOS™ C7
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ C7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 222-4883P