Infineon CoolMOS™ CFD N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 43,3 A 391 W, 3-Pin TO-247
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IPW65R080CFDAFKSA1
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Betriebstemperatur min.
- –55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 43,3 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 700 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 80 mΩ
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 43,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Serie = CoolMOS™ CFD
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 80 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 391 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 898-6927
- GTIN
- 5059043853987