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Infineon CoolMOS™ G7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 75 A, 8-Pin HSOF-8

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPT60R028G7XTMA1

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
75 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
28 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
8
Serie
CoolMOS™ G7
Transistor-Werkstoff
Si

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = CoolMOS™ G7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 28 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si

12,76 €

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Zustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
222-4938P