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Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A 278 W, 3-Pin TO-220

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPP60R099P6XKSA1

Technische Daten

Breite
4.57mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
37,9 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
99 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4.5V
Gate-Schwellenspannung min.
3.5V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Höhe
15.95mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 37,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ P6
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 278 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.57mm
Höhe = 15.95mm

Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6. MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS ;sup>™ ;/sup> E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.

1,96 €

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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
130-0924P
GTIN
5059043047621