Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A 278 W, 3-Pin TO-220

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 37,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ P6
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 278 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.57mm
Höhe = 15.95mm

Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6. MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS ;sup>™ ;/sup> E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.