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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPW60R024P7XKSA1

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
2
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
386 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,024 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Serie
CoolMOS™ P7

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 386 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ P7
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,024 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2

10,29 €

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
219-6019P