Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 46 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ P7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse Niedrige Schaltverluste Bessere Effizienz bei geringer Last Erhöhung der Leistungsdichte Hervorragende CoolMOS-Qualität