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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB65R045C7ATMA2

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
46 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
45 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
3
Serie
CoolMOS™ P7

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 46 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ P7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse Niedrige Schaltverluste Bessere Effizienz bei geringer Last Erhöhung der Leistungsdichte Hervorragende CoolMOS-Qualität

3,96 €

4,71 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
222-4897