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Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A, 3-Pin TO-247

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMW65R083M1HXKSA1

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
24 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,111 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
5.7V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Transistor-Werkstoff
Silicon

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,111 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Transistor-Werkstoff = Silicon

6,96 €

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
232-0397