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Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A, 3-Pin TO-247

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMW65R072M1HXKSA1

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
26 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,094 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
5.7V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Serie
CoolSiC

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,094 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

3,34 €

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
232-0395P