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Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 39 A, 4-Pin TO-247-4

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMZA65R048M1HXKSA1

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
39 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,064 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
5.7V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
4
Serie
CoolSiC

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 39 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,064 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

4,32 €

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
232-0408