Infineon FRAM-Speicher 1MBit, 128K x 8 bit 450ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 2 V bis 3,6 V

Speicher Größe = 1MBit
Organisation = 128K x 8 bit
Interface-Typ = Seriell (2-Draht, I2C)
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 450ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge = 4.97mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 Vmm
Höhe = 1.48mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit

FRAM, Cypress-Halbleiter. Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert. Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher Hohe Schreibgeschwindigkeit Lange Lebensdauer Geringer Stromverbrauch