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Infineon HEXFET AUIRF3305 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 140 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: AUIRF3305

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
140 A
Drain-Source-Spannung max.
55 V
Drain-Source-Widerstand max.
8 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
100 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 140 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 330 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 100 nC @ 10 Vmm
Serie = HEXFETmm

Kfz-N-Kanal-MOSFET, Infineon. Das umfassende Portfolio an AECQ-101-zugelassenen Einfach-Matrizen-N-Kanal-Geräten für die Automobilindustrie von Infineon entspricht einer Vielzahl von Anforderungen an die Stromversorgung in vielen Anwendungen. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

3,46 €

4,12 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Zustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
760-4249P
GTIN
5059043978710