Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 A, 300 A 380 W, 7-Pin D2PAK-7

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 240 A, 300 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = D2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 1,9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 380 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 4.83mm

Kfz-N-Kanal-MOSFET, Infineon. Das umfassende Portfolio an AECQ-101-zugelassenen Einfach-Matrizen-N-Kanal-Geräten für die Automobilindustrie von Infineon entspricht einer Vielzahl von Anforderungen an die Stromversorgung in vielen Anwendungen. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.