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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 88 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: AUIRFB4410

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+175 °Cmm
Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
88 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
10 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 88 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Kfz-N-Kanal-MOSFET, Infineon. Das umfassende Portfolio an AECQ-101-zugelassenen Einfach-Matrizen-N-Kanal-Geräten für die Automobilindustrie von Infineon entspricht einer Vielzahl von Anforderungen an die Stromversorgung in vielen Anwendungen. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

2,46 €

2,93 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Zustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
760-4306P
GTIN
5059043972411