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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,4 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFU120NPBF

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
9,4 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
210 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
25 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 210 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm
Höhe = 6.1mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

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Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
541-1613
GTIN
5059045876236